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中国轻工业联合会党委书 记

中国轻工业联合会党委书 记、
会长张崇和在主旨讲话中提到,近年来,中国轻工业联合会通过实施五大举措,推动轻工业的高质量发展。一是以科技创新推动高质量发展,二是
以标准品牌推动高质量发展,三是以绿色智慧推动高质量发展,四是以三品行动推动高质量发展,五是以产业集群推动高质量发展。张崇和强调,
中国轻工业联合会下一步将从“强化产品质量保障、激发企业创新活力、赋能行业发展动力、加强行业技能人才培养”四个方面推动轻工业创新升
级和质量提升。

发布会上,工业和信息化部消费品工业司司长高延敏全面介绍了工信部在推动三品行动方面的政策和工作举措,对继续实践三品行动,推动消费升级,提出了指导意见。

国 家发展和改 革委员会产业发展司司长卢卫生介绍了当前国民经济发展的情况及发改委推动高质量发展方面的举措,对轻工持续向高质量迈进提出了提高效益、强化创新、打造品牌三个方面的指导意见。

国 家市场监督管理总局产品质量安全监督管理司副司长孙会川表示:消费升级的产品应是质量更安全、更可靠的产品。市场监管总局先内文1-封底01.indd 15 2020/2/10 15:24:01
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16 家电科技院、云南省微纳材料与技术重 点实验室万艳芬、杨鹏团队利用化学方法制备了一种由贵金属、半导体和碳点组成的纳米复合材料,该复合材料由于三种组分的协同效应和良好的电荷转移通道,实现了材料光热转换效率的提高。该研究成果
以“High-absorption Solar Steam Device Comprising Au@Bi2MoO6-CDs: Extraordinary Desalination and Electricity Generation”(基于Au@Bi2MoO6-CDs的高吸收太阳能蒸汽器件:超强海水淡化和发电性能)为题,于2019年11月21日在Nano Energy(《纳米能源》)上在线发表。

为了缓解淡水资源的短缺,海水淡化一直是科学家关注的重 点。另一方面,化石能源枯竭和使用化石燃料造成的环境污染也迫切需要开发新的能源形式。
而利用光热材料将太阳能高效率转化成高品质热能,不仅可以应用于海水淡化,而且还可以通过温差发电效应进一步将热能转化为电能,为中小型全天候智能供电系统提供辅助能源。目前,科研工作者对光热材料的研究已经取得了重大的进展,但单组分材料由于其有限的光热转换效率,还不能满足实际需要。因此,通过进一步的设计和调控,制备出具有更高光热转换效率的复合材料是当前研究的重 点。万艳芬、杨鹏团队设计并制备
了一种具有仿生珊瑚结构的纳米太阳能吸收复合材料。该复合材料包括具有等离子激元效应的Au纳米锥、Bi 2MoO6半导体和生物质碳点
(CDs)三种组分,实现了在3D的Bi2MoO6内部包裹Au纳米锥,并在Bi2MoO6外部吸附大量的碳点的珊瑚状结构(如图)。与纯Au纳米锥、
Bi2MoO6和CDs相比,该三元复合材料实现了有效的电荷转移,有利于光生电子-空 xue对的分离,提高了材料的光热转换效率(在一个太阳光
辐射下的光热转换效率为97.1%,水蒸发率为1.69kg/m2h)。同时,材料表面的孔洞结构为太阳光的收集提供了众多的位点,通过孔洞对光的多级反射实现了70%的光吸收率。此外,将复合材料沉积在商用的温差发电片上,制成了太阳能温差发电器件。结果显示,该器件具有增强的温差发
电性能,其输出功率高达97.4μw/cm2。该研究为高效光热转换材料的研究提供了重要的实验依据,同时为海水淡化和新能源器件与系统的研发带
来新的思路。我国学者在二维电子器件研究方面取得重要进展南 京 大 学王欣然、施毅教授团队与加州大学洛杉矶分校段镶锋(Xiangfeng Duan)教授、新加坡国立大学陈伟(Wei Chen)教授、东京大学长汐晃辅(K·Nagashio)教授、南 京 大 学王鹏和马海波教授、中电55所陈堂胜研究员等课题组开展多学科合作,在二维电子器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Uniform and Ultrathin High-κG a t e Dielectrics for Two-dimensional Electronic Devices”(具有高质量超薄高κ栅介质的二维电子器件)为题,于2019年12月9日在Nature Electronics(《自然电子学》)上在线发表。
二维半导体材料具有非零带隙、极限沟道厚度、高迁移率等特点,可以显著增加栅极调控能力,是有望继续延伸摩尔定律的新型电子材料之
一。然而,由于二维材料表面无悬挂键,无法利用传统原子层沉积工艺制备高质量栅极介质层,导致界面态和等效氧化层厚度(EOT)远高于硅基
CMOS晶体管。因此,开发针对二维材料的高质量、超薄,并且与大面积工艺兼容的介质层集成工艺,是制备二维电子器件的瓶颈之一。

针对上述关键问题,该合作团队利用二维材料与分子之间的范德瓦尔斯作用,以0.3纳米厚的单层分子晶体作为界面层,在二维材料上实现了高质量、超薄high-κ介质层沉积技术。凭借该技术,他们首 次在石墨烯、MoS2和WSe2等二维材料上制备了原子级平整度、低界面态密度和高击穿电场的1nmEOT,制备的介质层漏电流密度与CMOS水平相当,并且通过石墨烯射频器件验证了该介。

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